Национальная программа развития индустрии интегральных схем -- Гофа [2014] N 4

Краткое резюме

Национальная программа развития индустрии интегральных схем, опубликованная 24 июня 2014 года (Гофа [2014] N 4), является специализированным планом развития полупроводниковой отрасли Китая. Документ определяет индустрию интегральных схем как ядро отрасли информационных технологий и «стратегическую, базовую и авангардную отрасль», обеспечивающую социально-экономическое развитие и национальную безопасность. Текущий и предстоящий период характеризуется как «важнейшее стратегическое окно возможностей и период решительного прорыва» для китайской полупроводниковой индустрии.

Программа была принята на фоне того, что Китай, обладая крупнейшим в мире рынком интегральных схем, существенно отставал от передовых стран по уровню промышленного развития. Продукция в значительной мере импортировалась, что не позволяло обеспечить формирование национальной промышленной конкурентоспособности и информационную безопасность. Одновременно мировая полупроводниковая отрасль входила в период глубокой перестройки: стремительный рост инвестиций, концентрация рыночных долей, взрывной рост мобильных устройств, облачных вычислений и интернета вещей.

Документ устанавливает пять основных принципов -- ориентация на спрос, инновационное развитие, интеграция аппаратного и программного обеспечения, целенаправленный прорыв и открытость -- и поэтапные цели развития: к 2015 году -- институциональные инновации и серийное производство по нормам 32/28 нм; к 2020 году -- серийное производство по нормам 16/14 нм и формирование базовой экосистемы; к 2030 году -- достижение мирового уровня по основным звеньям производственной цепочки. Знаковыми мерами программы стали создание Национального инвестиционного фонда индустрии интегральных схем («Большой фонд») и комплекс налоговых льгот.

Ключевые положения

• Приоритетное развитие проектирования ИС: Быстрый рост индустрии проектирования как локомотив развития производства. Фокус на мобильных терминалах и сетевых коммуникациях: разработка чипов для смартфонов, цифрового ТВ, сетевого оборудования, носимых устройств. Ускорение НИОКР в области облачных вычислений, IoT и больших данных. Последовательный прорыв в ИС для смарт-карт, умных сетей, автоэлектроники, медицинской электроники.

• Ускоренное развитие производства: Расширение мощностей на 45/40 нм, строительство линий на 32/28 нм, продвижение к 22/20 нм и 16/14 нм. Активное развитие специализированных линий: аналоговые и смешанные схемы, МЭМС, высоковольтные и радиочастотные схемы.

• Повышение уровня корпусировки и тестирования: Консолидация отрасли через слияния и поглощения. Освоение передовых технологий: корпусировка на уровне кристалла (CSP), на уровне пластины (WLP), кремниевые сквозные отверстия (TSV), трехмерная корпусировка.

• Прорыв в оборудовании и материалах: Разработка литографических установок, установок для травления, ионной имплантации. Создание отечественных фоторезистов, кремниевых пластин большого диаметра. Укрепление взаимодействия между производителями ИС и поставщиками оборудования и материалов.

• Национальный инвестиционный фонд: Привлечение крупных предприятий, финансовых институтов и частного капитала. Рыночный механизм управления. Приоритет -- производство, при сбалансированной поддержке проектирования, корпусировки, оборудования и материалов.

• Продвижение безопасного программно-аппаратного обеспечения: Государственные закупки должны отдавать приоритет продуктам на основе безопасных и надежных отечественных компонентов.

Цели и сроки

Механизмы реализации

Организационное руководство: Руководящая группа по развитию индустрии интегральных схем для координации и стратегического планирования. Консультативный комитет для экспертизы ключевых решений.

«Большой фонд»: Наиболее значимый инструмент программы. Первая фаза (2014) -- около 138,7 млрд юаней, вторая фаза (2019) -- около 204,1 млрд юаней. Рыночное управление, приоритет -- производство, сбалансированная поддержка всех звеньев цепочки. Совокупный эффект -- привлечение свыше 1 трлн юаней инвестиций в полупроводниковую отрасль.

Финансовая поддержка: Кредитование через политические и коммерческие банки с инновационными финансовыми продуктами. Поддержка IPO на внутренних и зарубежных рынках, выпуска облигаций и иных долговых инструментов.

Налоговые льготы: Усиление реализации налоговых льгот из документов Гофа [2000] N 18 и Гофа [2011] N 4. Льготы по налогу на прибыль для предприятий корпусировки, тестирования, материалов и оборудования. Освобождение от таможенных пошлин на ключевое импортное оборудование для крупных научно-технических проектов.

Подготовка кадров: Создание системы подготовки кадров, развитие факультетов микроэлектроники, строительство образцовых микроэлектронных институтов. Привлечение зарубежных специалистов, внедрение механизмов опционной и акционерной мотивации.

Открытость: Активное привлечение иностранного капитала, технологий и специалистов. Стимулирование размещения международными компаниями центров НИОКР и производства в Китае. Развитие сотрудничества между материковым Китаем и Тайванем.

Влияние на отрасль

Программа оказала глубокое и долгосрочное воздействие на китайскую полупроводниковую индустрию и рассматривается как основополагающий документ современной полупроводниковой политики КНР.

Капитал: Совокупные прямые инвестиции «Большого фонда» двух фаз превысили 340 млрд юаней. С учетом региональных фондов и частного капитала общий объем инвестиций в полупроводниковую отрасль превысил 1 трлн юаней. Это кардинально изменило ситуацию с финансированием китайских полупроводниковых предприятий и стимулировало строительство многочисленных кремниевых фабрик.

Структура отрасли: Программа обеспечила координированное развитие всех звеньев. В проектировании появились компании международного уровня (HiSilicon, UNISOC); в производстве SMIC и Hua Hong постепенно сокращали отставание от TSMC; в корпусировке и тестировании JCET и TongFu Microelectronics вошли в мировую десятку через серию приобретений.

Технологии: Китай добился заметного прогресса в технологии 14 нм FinFET, передовой корпусировке и отдельных видах оборудования (установки травления, осаждения тонких пленок), хотя критические вызовы в области литографии сохраняются.

Международный резонанс: Программа вместе с последующим планом «Сделано в Китае 2025» стала центральной темой международных дискуссий о промышленной политике КНР и одним из факторов введения экспортного контроля на полупроводники со стороны США и союзников.

История изменений

С момента публикации в июне 2014 года программа не подвергалась формальному пересмотру. Однако её цели и инструменты постоянно обновлялись через последующие документы: положения «Сделано в Китае 2025» (2015) о развитии ИС, продолжение национальных научно-технических проектов (проекты 01 и 02), создание «Большого фонда» второй фазы (2019). В 2020 году Госсовет принял документ «О ряде политик содействия высококачественному развитию индустрии интегральных схем и программного обеспечения в новую эпоху» (Гофа [2020] N 8), существенно расширивший налоговые и финансовые льготы.

Связанные документы

• «Сделано в Китае 2025» (Гофа [2015] N 28) -- первый десятилетний план стратегии промышленной державы, включающий ИС в число главных приоритетов.
• Уведомление о политике стимулирования развития ПО и ИС (Гофа [2011] N 4) -- базовый документ о налоговых льготах для полупроводниковой отрасли.
• О ряде политик содействия высококачественному развитию индустрии ИС и ПО (Гофа [2020] N 8) -- обновленные налоговые и финансовые меры поддержки.
• Национальные научно-технические проекты 01 (электронная компонентная база) и 02 (технологии производства СБИС) -- крупнейшие программы технологического прорыва в области ИС.
• 14-й пятилетний план развития программного обеспечения и ИТ-услуг -- актуальный план, охватывающий проектирование ИС и развитие инструментов САПР.